国产芯片从无到有重大突破:首片300mm SOI晶圆制备完成

文章来源:快科技 发布日期:2023-10-23 分类:快科技 阅读(0)

快科技10月22日消息,中国科学院上海微系统所官方公众号日前发布消息,称魏星研究员团队在300 mm SOI晶圆制造技术方面取得突破性进展

制备出了国内第一片300mm射频(RF)SOI晶圆,实现了从无到有的重大突破

根据文章介绍,团队基于集成电路材料全国重点实验室300mm SOI研发平台,依次解决了300mm RF-SOI晶圆所需的低氧高阻晶体制备、低应力高电阻率多晶硅薄膜沉积、非接触式平坦化等诸多核心技术难题,实现了国内300mm SOI制造技术从无到有的重大突破

晶圆即制作硅半导体集成电路所用的硅晶片。

高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种,然后慢慢拉出,形成圆柱形的单晶硅;硅晶棒在经过研磨、抛光、切片后,形成硅晶圆片,也就是所说的晶圆。

晶圆作为半导体材料,在微电子技术领域中具有非常广泛的应用,是芯片、太阳能电池板、LED光源等重要元器件的基础。

那么晶圆和芯片有什么关系呢?在芯片制造过程中,首先需要将晶圆切割成一定大小的小块,然后在上面进行电路设计、光刻等工艺步骤,最终形成一个完整的芯片。

晶圆和芯片之间的关系大致可以类比为“大理石”和“雕塑”的关系,晶圆就像是一块未被雕刻的大理石,而芯片则是在晶圆上按照设计图案雕刻出来的具有特定功能的结构。

此次实现的300mm 射频SOI晶圆的自主制备,将有力推动国内RF-SOI芯片设计、代工以及封装等全产业链的协同快速发展,并为国内SOI晶圆的供应安全提供坚实的保障

国产芯片从无到有重大突破:首片300mm SOI晶圆制备完成

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责任编辑:黑白

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